EVG®610光刻机是一款紧凑型多功能研发系统，可处理零碎片和最大200 mm的晶圆

EVG光刻机EVG610支持各种标准光刻工艺，如真空，硬，软接触和接近式曝光模式，可选择背部对准方式。此外，该系统还提供其他功能，包括键合对准和纳米压印光刻（NIL）。EVG610提供快速处理和重新加工，以满足不断变化的用户需求，转换时间不到几分钟。其先进的多用户概念适合初学者到专家级各个阶层用户，非常适合大学和研发应用。

EVG光刻机应用领域

MEMS，RF器件，功率器件，化合物半导体等方面的图形光刻应用。

产品特点

●     晶圆/基片尺寸从零碎片到200毫米/ 8英寸

●     顶部和底部对准功能

●     高精度对准

●     自动楔形补偿序列

●     电动的和程序控制的曝光间隙

●     支持最新的UV-LED技术

●     最小化系统占地面积和设施要求

●     分步流程指引

●     远程技术支持

●     多用户概念

●     敏捷的处理和转换重新加工

●     台式或独立式带防振花岗岩台面

技术参数

1.掩模版-基板-晶圆尺寸

       掩模版尺寸：5寸/7寸/9寸

       基片/晶圆尺寸：100mm/150mm/200mm

       晶圆厚度：高达10mm

2.对准模式

       顶部对准精度：≤ ± 0,5 µm

       底部对准精度：≤ ± 2,0 µm

       红外对准模式：≤ ± 2,0 µm/取决于基片的材料

3.顶部显微镜

       移动范围1：100mm（X轴：32-100mm；Y轴：-50/+30mm；）

       移动范围2：150mm（X轴：32-150mm；Y轴：-75/+30mm；）

       移动范围1：200mm（X轴：32-200mm；Y轴：-100/+30mm；）

       可选：平坦的物镜可以增加光程；带有环形灯的暗场物镜，可以增加对比度

4.底部显微镜

       移动范围1：100mm（X轴：30-100mm；Y轴：±12mm；）

       移动范围2：150mm（X轴：30-100mm；Y轴：±12mm；）

       移动范围1：200mm（X轴：30-100mm；Y轴：±12mm；）

       可选：平坦的物镜可以增加光程；带有环形灯的暗场物镜，可以增加对比度

5.曝光器件

（1）波长范围：

       NUV：350 - 450 nm

       DUV：低至200 nm (可选)

（2）光源：

       汞灯350W , 500W UV LED灯

（3）均匀性：

       150mm：≤ 3%

       200mm：≤ 4%

（4）滤光片：

       汞灯：机械式

       UV LED：软件可调

6.曝光模式

       接触：硬、软接触，真空

       曝光间隙：1 - 1000 µm

       线宽精度：1µm

       模式：CP(Hg/LED)、CD(Hg/LED)、 CT(Hg/LED) 、CI(LED)

       可选：内部，浸入，扇形

7.可选功能

       键合对准精度：≤ ± 2,0 µm

       纳米压抑光刻（NIL）精度：≤ ± 2,0 µm

       纳米压抑光刻（NIL）软印章分辨率：≤ 50 nm图形分辨率

8.设施

       真空：< 150 mbar

       压缩气体：6 bar

       氮气：可选2或者6 bar

       排气要求：汞灯需要；LED不需要

9.系统方式

       系统：windows

       文件分享和软件备份

       无限程序储存，参数储存在程序内

       支持多语言，含中文

       实时远程支持，诊断和排除故障

10.楔形补偿

       全自动- 软件控制

11.规格

       占地面积：0.55m²

       高度：1.01m

       重量：约250kg

       纳米压印分辨率：≤ 40 nm（取决于模板和工艺）

       支持工艺：Soft UV-NIL