电子束蒸发镀膜系统

对传统热蒸发技术难以实现的材料，可采⽤电⼦束蒸 发的⽅式来实现。不同于传统的辐射加热和电阻丝加热， ⾼能电⼦束轰击可实现超过3000℃的局域⾼温。矽碁提供的蒸发源具有防污染设计，使得不同材料之间的交叉污染 降到最低，电⼦束蒸发技术适合制备各种⾦属电极，甚⾄是制备各种氧化物等。

技术参数

 ‣ 本底真空10^-7Torr

 ‣ 基⽚台可定制，单⽚/多⽚

 ‣ 4/6坩埚 ‣ 坩埚防污染设计

 ‣ ⽯英晶振测量膜厚

 ‣ 样品可旋转并加热⾄：300℃/500℃/800℃

 ‣ 可配备离⼦束辅助沉积

 ‣ 可配备快速进样室

 ‣ 可与⼿套箱集成