化学⽓相沉积(Chemical Vapor Deposition, CVD)是指 ⾼温环境下⽓态反应剂在衬底表⾯发⽣化学反应⽣成薄膜的过程，⼴泛应⽤于⾦属、氧化物、氮化物及碳化物等⽆ 机薄膜的制备。

PECVD(Plasma Enhanced CVD)是借助射 频使⽓体电离产⽣局部等离⼦体，等离⼦体活性可有效促 进反应，从⽽降低反应温度，加快成膜速率。

 技术参数

 ‣ 基⽚尺⼨可定制

 ‣ 低温⼯艺：<150℃/350℃

 ‣ 多层式⼯艺⽓体导⼊，⽓体分布均匀

 ‣ 独⽴MFC控制箱，可灵活扩充⼯艺⽓路

 ‣ 基⽚内镀膜均匀性优于±5%

 ‣ 可与⼿套箱集成

PECVD&RIE整合系统 

外矽碁还专为客户定制过性价⽐极⾼的 RIE&PECVD联合系统，该联合系统采⽤统⼀的真空⽓路及电控系统，在实现多功能的前提下有效节省成本。 

技术参数

 ‣ 基⽚尺⼨可定制

 ‣ 氧化硅、氮化硅及多晶硅镀膜

 ‣ ⾦属、电介质和III-V族材料刻蚀

 ‣ 镀膜及刻蚀均匀性优于±5%

 ‣ 最⼤12⼨样品

 ‣ PECVD和RIE可以共⽤射频电源

 ‣ 双腔体之间可以设计互联