LPCVD(Low Pressure CVD)是指在较低⽓压环境下进⾏ 薄膜沉积，设备性价⽐⾼。

其⼯艺优势在于具有优异的薄膜 均匀性，很好的阶梯覆盖能⼒，并可进⾏⼤⾯积沉积。 

技术参数

 ‣ 基⽚尺⼨可定制

 ‣ 最⾼加热温度1700℃

 ‣ 最多可拓展6路⼯艺⽓体

 ‣ 可选配分⼦泵

矽碁还专为客户定制过直⽴⽣⻓⽯墨烯的ICP-CVD